-
Omfattende AI-optimalisert tellurrensingsprosess
Som et kritisk strategisk sjeldent metall finner tellurium viktige bruksområder i solceller, termoelektriske materialer og infrarød deteksjon. Tradisjonelle renseprosesser står overfor utfordringer som lav effektivitet, høyt energiforbruk og begrenset renhetsforbedring. Denne artikkelen systematisk...Les mer -
Metoder og teknikker for å redusere oksygeninnhold i vakuumdestillasjon og rensing av selen
Selen, som et viktig halvledermateriale og industrielt råmateriale, har sin ytelse direkte påvirket av renheten. Under vakuumdestillasjonsrensingsprosessen er oksygenforurensninger en av hovedfaktorene som påvirker selens renhet. Denne artikkelen gir en detaljert oversikt...Les mer -
Metoder for fjerning av arsenikk i rensing av råantimon
1. Innledning Antimon, som et viktig ikke-jernholdig metall, er mye brukt i flammehemmere, legeringer, halvledere og andre felt. Imidlertid eksisterer antimonmalmer ofte i naturen sammen med arsenikk, noe som resulterer i et høyt arsenikkinnhold i råantimon som påvirker ytelsen betydelig...Les mer -
Synteseprosess for sinktellurid (ZnTe)
1. Innledning Sinktellurid (ZnTe) er et viktig halvledermateriale i II-VI-gruppen med en direkte båndgapstruktur. Ved romtemperatur er båndgapet omtrent 2,26 eV, og det finner brede anvendelser i optoelektroniske enheter, solceller, strålingsdetektorer og andre felt. Dette e...Les mer -
Arsenikkdestillasjon og renseprosess
Arsenikkdestillasjons- og renseprosessen er en metode som bruker forskjellen i flyktigheten til arsenikk og dens forbindelser for å separere og rense, spesielt egnet for å fjerne svovel, selen, tellur og andre urenheter i arsenikk. Her er de viktigste trinnene og hensynene: ...Les mer -
Sinktellurid: en ny anvendelse innen moderne teknologi
Sinktellurid: en ny anvendelse innen moderne teknologi Sinktelluridet utviklet og produsert av Sichuan Jingding Technology Co., Ltd. dukker gradvis opp innen moderne vitenskap og teknologi. Som et avansert halvledermateriale med bredt båndgap har sinktellurid vist seg å være svært nyttig ...Les mer -
Den fysiske synteseprosessen for sinkselenid inkluderer hovedsakelig følgende tekniske ruter og detaljerte parametere
1. Solvotermisk syntese 1. Råvareforhold Sinkpulver og selenpulver blandes i et molforhold på 1:1, og avionisert vann eller etylenglykol tilsettes som løsemiddelmedium 35. 2. Reaksjonsbetingelser o Reaksjonstemperatur: 180–220 °C o Reaksjonstid: 12–24 timer o Trykk: Oppretthold t...Les mer -
Kadmiumprosesstrinn og parametere
I. Forbehandling av råmateriale og primærrensing Forberedelse av høyrent kadmiumråmateriale Syrevask: Senk kadmiumbarrer av industrikvalitet i 5 %–10 % salpetersyreløsning ved 40–60 °C i 1–2 timer for å fjerne overflateoksider og metalliske urenheter. Skyll med avionisert vann til...Les mer -
6N ultrahøyrent svoveldestillasjons- og renseprosess med detaljerte parametere
Produksjonen av 6N (≥99,9999 % renhet) ultrarent svovel krever flertrinnsdestillasjon, dyp adsorpsjon og ultraren filtrering for å eliminere spormetaller, organiske urenheter og partikler. Nedenfor er en prosess i industriell skala som integrerer vakuumdestillasjon, mikrobølgeassistert...Les mer -
Spesifikke roller for kunstig intelligens i materialrensing
I. Råmaterialescreening og optimalisering av forbehandling Høypresisjonsmalmgradering: Bildegjenkjenningssystemer basert på dyp læring analyserer de fysiske egenskapene til malmer (f.eks. partikkelstørrelse, farge, tekstur) i sanntid, og oppnår over 80 % feilreduksjon sammenlignet med manuell sortering. Høy-...Les mer -
Eksempler og analyse av kunstig intelligens i materialrensing
1. Intelligent deteksjon og optimalisering i mineralforedling Innen malmrensing introduserte et mineralforedlingsanlegg et bildegjenkjenningssystem basert på dyp læring for å analysere malm i sanntid. AI-algoritmene identifiserer nøyaktig de fysiske egenskapene til malmen (f.eks. størrelse...Les mer -
Nye utviklinger innen sonesmelteteknologi
1. Gjennombrudd innen fremstilling av høyrente materialer Silisiumbaserte materialer: Renheten til silisium-enkeltkrystaller har overgått 13N (99,9999999999 %) ved bruk av flytende sone (FZ)-metoden, noe som har forbedret ytelsen til høyeffekts halvlederkomponenter (f.eks. IGBT-er) og avanserte ...Les mer
